CM1003BF3AE

新唐科技· 系列 CM1003生命周期: 量产

8051 · 24 MHz · 16 KB · 2.4 ~ 5.5 V · QFN20

问 AI

关键参数

内核
8051
最高主频
24 MHz
程序 Flash
16 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN20
GPIO 数
18
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核8051
最高主频24 MHz
存储
程序 Flash16 KB
电源与环境
工作电压2.4 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流7.9 µA
mode=Power-down, all peripherals disabled, VDD=3.3V, TA=25°C, stat=typ, notes=LVR17 enabled, POR and BOD disabled
封装与 IO
封装QFN20
封装尺寸3x3
引脚数20
GPIO 数18
通信接口
UART 数2
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数8
ADC 采样率0.5 MSPS
定时与控制
PWM 通道6
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles
TJ=-40°C~125°C, stat=min
Flash 数据保持10 years
cycles=100 kcycle, TA=105°C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (6)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
CM1003BF2AE24 MHz16 KB—-40 ~ 105°CTSSOP2018
CM1003CF2AE24 MHz32 KB—-40 ~ 105°CTSSOP2018
CM1003CF3AE24 MHz32 KB—-40 ~ 105°CQFN2018
CM1003CJ3AE24 MHz32 KB—-40 ~ 105°CQFN3330
CM1003DJ3AE24 MHz64 KB—-40 ~ 105°CQFN3330
CM1003DL8AE24 MHz64 KB—-40 ~ 105°CLQFP4846