CM2003CF3AE

新唐科技· 系列 CM2003生命周期: 量产

Cortex-M23 · 24 MHz · 32 KB · 4 KB · 2.4 ~ 5.5 V · QFN20

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M23
最高主频
24 MHz
程序 Flash
32 KB
SRAM
4 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN20
GPIO 数
18
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M23
最高主频24 MHz
存储
程序 Flash32 KB
SRAM4 KB
电源与环境
工作电压2.4 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流5.5 µA
mode=Power-down mode, all peripherals disabled, vdd=2.4 V, temperature=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN20
封装尺寸3x3
引脚数20
GPIO 数18
通信接口
UART 数2
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数8
ADC 采样率0.5 MSPS
比较器0
温度传感器无
定时与控制
PWM 通道6
RTC无
DMA 通道0
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles
temperature=TA = -40°C ~ 105°C, bound=min
Flash 数据保持50 years
temperature=TA = 55°C, cycles=after 100k cycles, bound=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (1)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
CM2003CF2AE24 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2018