GT25C512

聚辰半导体· 系列 SPI EEPROM生命周期: 量产

SPI · 512 Kbit · 1.7 ~ 5.5 V · SOIC8, TSSOP8, UDFN8

GT25C512-2GLI-TRGT25C512-2UDLI-TRGT25C512-2ZLI-TR
问 AI

关键参数

接口
SPI
容量
512 Kbit
页大小
128 B
最高时钟
20 MHz
4.5V <= VCC <= 5.5V (features: 5.5V)
工作电压
1.7 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
擦写寿命
4,000,000 cycles
TA = 25°C (6.4 Reliability), per group of four bytes
数据保持
100 years
TA = 25°C (6.4 Reliability)
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
SOIC8, TSSOP8, UDFN8

完整参数

基本参数
接口SPI
容量512 Kbit
组织结构65,536 x 8
页大小128 B
写保护引脚有
软件写保护有
电气特性
最高时钟20 MHz
4.5V <= VCC <= 5.5V (features: 5.5V)
工作电压1.7 ~ 5.5 V
写周期5 ms
待机电流1 µA
VCC = 5.5V, VIN = VCC or GND, CS = VCC, max, TA = -40°C to +85°C (also 1 µA max at VCC = 1.7V and 2.5V)
读电流1 mA
VCC = 1.7V, read at 3 MHz, SO = open, max
写电流1.2 mA
VCC = 1.7V, write at 3 MHz, SO = open, max
可靠性
擦写寿命4,000,000 cycles
TA = 25°C (6.4 Reliability), per group of four bytes
数据保持100 years
TA = 25°C (6.4 Reliability)
工作温度-40 ~ 85°C
封装
封装SOIC8, TSSOP8, UDFN8

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (10)

PN容量页大小工作温度封装
GT25C02A2 Kbit16 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C04A4 Kbit16 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C08B8 Kbit32 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C10241024 Kbit256 B-40 ~ 85°CSOIC8
GT25C128B128 Kbit128 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C16B16 Kbit32 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C2048H2048 Kbit256 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C256A256 Kbit128 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C32B32 Kbit32 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT25C64A64 Kbit32 B-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8