HC32F002C4UZ
小华半导体· 系列 HC32F002生命周期: 未标注
Cortex-M0+ · 48 MHz · 18 KB · 2 KB · 1.7 ~ 5.5 V · QFN20
HC32F002C4UZ-ZFN20TR
关键参数
内核
Cortex-M0+
最高主频
48 MHz
程序 Flash
18 KB
SRAM
2 KB
工作电压
1.7 ~ 5.5 V
工作温度
-20 ~ 105°C
封装
QFN20
GPIO 数
18
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
10
ADC 通道数
11
完整参数
| 内核与性能 | |
| 内核 | Cortex-M0+ |
| 最高主频 | 48 MHz |
| 存储 | |
| 程序 Flash | 18 KB |
| SRAM | 2 KB |
| 电源与环境 | |
| 工作电压 | 1.7 ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -20 ~ 105°C |
| 运行功耗 | 100 µA/MHz(系列通用参数) mode=Run (CPU and peripherals running, code from Flash), VCC=3V, fHCLK=48MHz, typ_max=headline value (typ/max not stated) |
| 最低功耗模式电流 | 2.4 µA mode=DeepSleep (no WDT/LVD/RCL), VCC=3.3V (typ condition), TA=25°C, typ_max=typ |
| 封装与 IO | |
| 封装 | QFN20 |
| 封装尺寸 | 3x3 |
| 引脚数 | 20 |
| GPIO 数 | 18 |
| 通信接口 | |
| SPI 数 | 1 |
| I²C 数 | 1 |
| 模拟 | |
| ADC 位数 | 10(系列通用参数) |
| ADC 通道数 | 11 |
| ADC 采样率 | 1 MSPS(系列通用参数) |
| 可靠性与认证 | |
| ESD (HBM) | 4 kV(系列通用参数) |
| Flash 擦写寿命 | 100,000 cycles(系列通用参数) typ_max=typ, TA=-40~105°C, retention=10 years at TA=85°C |
| Flash 数据保持 | 20 years(系列通用参数) TA=85°C, endurance=20000 cycles (min) |
以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对；如有出入请以原厂最新数据手册为准。
同系列型号 (7)
| PN | 最高主频 | 程序 Flash | SRAM | 工作温度 | 封装 | GPIO 数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HC32F002C4PB | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP20 | 18 |
| HC32F002C4PZ | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -20 ~ 105°C | TSSOP20 | 18 |
| HC32F002C4UB | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | QFN20 | 18 |
| HC32F002D4PB | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP24 | 22 |
| HC32F002D4PZ | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -20 ~ 105°C | TSSOP24 | 22 |
| HC32F002D4UB | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | QFN24 | 22 |
| HC32F002D4UZ | 48 MHz | 18 KB | 2 KB | -20 ~ 105°C | QFN24 | 22 |