HC32F005C6PA

小华半导体· 系列 HC32F005生命周期: 未标注

Cortex-M0+ · 32 MHz · 32 KB · 4 KB · 1.8 ~ 5.5 V · TSSOP20

HC32F005C6PA-SOP20HC32F005C6PA-TSSOP20HC32F005C6PA-TSSOP20TR
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0+
最高主频
32 MHz
程序 Flash
32 KB
SRAM
4 KB
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
TSSOP20
GPIO 数
16
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
9

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0+
最高主频32 MHz
存储
程序 Flash32 KB
SRAM4 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 85°C
运行功耗150 µA/MHz
Run mode (CPU and peripherals running, code executed from Flash), VDD=3V, 16MHz, typical at room temperature
最低功耗模式电流0.46 µA
DeepSleep mode, all peripherals clock OFF (WDT off), VCAP=1.55V, VDD=1.8-5.5V (typ measured at VCC=3.3V), TA=-40~25°C, typ
封装与 IO
封装TSSOP20
引脚数20
GPIO 数16
通信接口
UART 数2
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数9
ADC 采样率1 MSPS
比较器2
温度传感器有
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV
Human Body Model, typ
Flash 擦写寿命100,000 cycles
program / sector erase cycles, typ, TA=-40~105°C, with data retention 10 years at TA=85°C
Flash 数据保持10 years
TA=85°C, paired with 100000 program/erase cycles (typ)

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32F005C6PB32 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2016
HC32F005C6UA32 MHz32 KB4 KB-40 ~ 85°CQFN2016