HC32F115H8TH

小华半导体· 系列 HC32F115生命周期: 未标注

Cortex-M0+ · 32 MHz · 64 KB · 4 KB · 2.7 ~ 5.5 V · LQFP44

HC32F115H8TH-LQ44
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0+
最高主频
32 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
4 KB
工作电压
2.7 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
LQFP44
GPIO 数
40
UART 数
4
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
12

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0+
最高主频32 MHz
存储
程序 Flash64 KB
SRAM4 KB
电源与环境
工作电压2.7 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 85°C
最低功耗模式电流3.4 µA
mode=Stop (停止模式), vdd=5.0V, temp=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP44
封装尺寸10x10
引脚数44
GPIO 数40
通信接口
UART 数4
SPI 数1
I²C 数1
LIN1
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数12
ADC 采样率1 MSPS
温度传感器有
定时与控制
RTC有
可靠性与认证
Flash 数据保持20 years
temp=TA=85°C, cycles=after 100 Kcycles, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (1)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32F115F8TH32 MHz64 KB4 KB-40 ~ 85°CLQFP3228