HC32F431KATB

小华半导体· 系列 HC32F431生命周期: 未标注

Cortex-M4 · 120 MHz · 128 KB · 16 KB · 2.7 ~ 5.5 V · LQFP64

HC32F431KATB-LQFP64
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M4
最高主频
120 MHz
程序 Flash
128 KB
SRAM
16 KB
工作电压
2.7 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP64
GPIO 数
52
UART 数
4
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
16

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M4(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频120 MHz
存储
程序 Flash128 KB
SRAM16 KB
电源与环境
工作电压2.7 ~ 5.5 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流56 µA(系列通用参数)
mode=Stop (ICC_STP), VCC=5.0V, temperature=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP64
封装尺寸10x10
引脚数64
GPIO 数52
通信接口
UART 数4
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数16
ADC 采样率3.6 MSPS(系列通用参数)
DAC 通道数1
DAC 位数12(系列通用参数)
比较器3
运放/PGA3
定时与控制
DMA 通道4
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV(系列通用参数)
standard=ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, temperature=25°C
Flash 擦写寿命100,000 cycles(系列通用参数)
temperature=TA=-40~105°C, stat=typ
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
cycling=20 kcycles, temperature=TA=85°C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32F431FATB120 MHz128 KB16 KB-40 ~ 105°CLQFP3224
HC32F431JATB120 MHz128 KB16 KB-40 ~ 105°CLQFP4840