HC32F451JEUB

小华半导体· 系列 HC32F451生命周期: 未标注

Cortex-M4 · 200 MHz · 512 KB · 192 KB · 1.8 ~ 3.6 V · QFN48

HC32F451JEUB-QFN48TR
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M4
最高主频
200 MHz
程序 Flash
512 KB
SRAM
192 KB
工作电压
1.8 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN48
GPIO 数
38
UART 数
4
SPI 数
4
I²C 数
3
CAN 数
0
USB 全速
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
10

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M4(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频200 MHz
存储
程序 Flash512 KB
SRAM192 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 3.6 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流1.8 µA(系列通用参数)
mode=Power down (掉电模式3/4 in Table 3-14; RTC not included — separate +RTC rows), VCC=3.3V, Ta=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN48
封装尺寸5x5
引脚数48
GPIO 数38
通信接口
UART 数4
SPI 数4
I²C 数3
I²S 数4
QSPI 数1
CAN 数0
USB 全速1
USB 角色Device/Host(系列通用参数)
SDIO/SDHC2
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数10
ADC 采样率2.5 MSPS(系列通用参数)
Table 3-37/3-38 fS max: fADC=60MHz, 12-bit, single ADC (time-interleaved dual ADC: 4.6 Msps max)
比较器3
运放/PGA1
温度传感器有(系列通用参数)
定时与控制
RTC有
DMA 通道8
其他功能
加密/安全AES, SHA, TRNG(系列通用参数)
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV(系列通用参数)
Ta=25°C, standard=JESD22-A114, stat=max column
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
Ta=85°C, after=10 kcycles, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (3)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32F451FEUB200 MHz512 KB192 KB-40 ~ 105°CQFN3225
HC32F451KETB200 MHz512 KB192 KB-40 ~ 105°CLQFP6452
HC32F451PETB200 MHz512 KB192 KB-40 ~ 105°CLQFP10083