HC32F4A0RITB

小华半导体· 系列 HC32F4A0生命周期: 未标注

Cortex-M4 · 240 MHz · 2048 KB · 516 KB · 1.8 ~ 3.6 V · LQFP144

HC32F4A0RITB-LQFP144
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M4
最高主频
240 MHz
程序 Flash
2048 KB
SRAM
516 KB
工作电压
1.8 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP144
GPIO 数
116
UART 数
10
SPI 数
6
I²C 数
6
CAN 数
2
USB 全速
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
24

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M4(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频240 MHz
存储
程序 Flash2048 KB
SRAM516 KB(系列通用参数)
电源与环境
工作电压1.8 ~ 3.6 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流2 µA(系列通用参数)
mode=Power down mode 4 (掉电模式4), VCC=3.3V, TA=25°C, typ_max=typ, rtc=off
封装与 IO
封装LQFP144
封装尺寸20x20
引脚数144
GPIO 数116
通信接口
UART 数10
SPI 数6
I²C 数6
I²S 数4
QSPI 数1
CAN 数2(系列通用参数)
CAN FD无
USB 全速1
USB 高速1
USB 角色Device/Host(系列通用参数)
以太网1
SDIO/SDHC2
外部总线有
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数24
ADC 采样率2.5 MSPS(系列通用参数)
DAC 通道数4
DAC 位数12(系列通用参数)
比较器4
运放/PGA4
温度传感器有(系列通用参数)
定时与控制
RTC有
DMA 通道16(系列通用参数)
其他功能
加密/安全AES, SHA, HMAC, TRNG(系列通用参数)
可靠性与认证
ESD (HBM)2 kV(系列通用参数)
TA=25°C, standard=JESD22-A114
Flash 擦写寿命100,000 cycles(系列通用参数)
typ_max=typ, TA=-40~105°C, retention=10 years at TA=85°C
Flash 数据保持20 years(系列通用参数)
TA=85°C, cycles=10,000 program/block-erase cycles (min)

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (9)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32F4A0PGTB240 MHz1024 KB516 KB-40 ~ 105°CLQFP10083
HC32F4A0PIHB240 MHz2048 KB516 KB-40 ~ 105°CVFBGA10083
HC32F4A0PITB240 MHz2048 KB516 KB-40 ~ 105°CLQFP10083
HC32F4A0RGTB240 MHz1024 KB516 KB-40 ~ 105°CLQFP144116
HC32F4A0SGHB240 MHz1024 KB516 KB-40 ~ 105°CVFBGA176142
HC32F4A0SGTB240 MHz1024 KB516 KB-40 ~ 105°CLQFP176142
HC32F4A0SIHB240 MHz2048 KB516 KB-40 ~ 105°CVFBGA176142
HC32F4A0SITB240 MHz2048 KB516 KB-40 ~ 105°CLQFP176142
HC32F4A0TIHB240 MHz2048 KB516 KB-40 ~ 105°CTFBGA208142