HC32L021C8PB

小华半导体· 系列 HC32L021生命周期: 未标注

Cortex-M0+ · 48 MHz · 64 KB · 6 KB · 1.8 ~ 5.5 V · TSSOP20

HC32L021C8PB-TSSOP20HC32L021C8PB-TSSOP20TR
问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0+
最高主频
48 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
6 KB
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
TSSOP20
GPIO 数
17
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
8

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0+
最高主频48 MHz
存储
程序 Flash64 KB
SRAM6 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
运行功耗45 µA/MHz(系列通用参数)
mode=Run (CPU running, peripherals off, executing from Flash), VCC=3V, fHCLK=48MHz, typ_max=headline (typ)
最低功耗模式电流0.65 µA(系列通用参数)
mode=DeepSleep, all peripheral clocks off, no clock (NO CLK), RAM=retained, RTC=off, VCC=3.3V, temp=25°C, typ_max=typ
封装与 IO
封装TSSOP20
引脚数20
GPIO 数17
通信接口
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数8
ADC 采样率1 MSPS(系列通用参数)
比较器2
定时与控制
RTC有
其他功能
加密/安全TRNG(系列通用参数)
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV(系列通用参数)
Flash 擦写寿命20,000 cycles(系列通用参数)
temp=TA=-40~105°C, typ_max=typ
Flash 数据保持20 years(系列通用参数)
temp=TA=85°C

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
HC32L021B8UB48 MHz64 KB6 KB-40 ~ 105°CQFN1410
HC32L021C8UB48 MHz64 KB6 KB-40 ~ 105°CQFN2017