HC32L031D8UB
小华半导体· 系列 HC32L031生命周期: 未标注
Cortex-M0+ · 48 MHz · 64 KB · 8 KB · 1.8 ~ 5.5 V · QFN24
HC32L031D8UB-QFN24TRHC32L031D8UB-UFN24TR
关键参数
内核
Cortex-M0+
最高主频
48 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
8 KB
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN24
UART 数
1
SPI 数
2
I²C 数
2
ADC 位数
12
完整参数
| 内核与性能 | |
| 内核 | Cortex-M0+ |
| 最高主频 | 48 MHz |
| 存储 | |
| 程序 Flash | 64 KB |
| SRAM | 8 KB |
| 电源与环境 | |
| 工作电压 | 1.8 ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -40 ~ 105°C |
| 运行功耗 | 45 µA/MHz(系列通用参数) mode=Run, CPU running from Flash, peripherals off, VDD=3V, fHCLK=48MHz, stat=typ (headline) |
| 最低功耗模式电流 | 0.65 µA(系列通用参数) mode=DeepSleep, all peripherals clock OFF, no clock, ram=retained, rtc=off, VCC=3.3V, TA=25°C, stat=typ |
| 封装与 IO | |
| 封装 | QFN24 |
| 引脚数 | 24 |
| 通信接口 | |
| UART 数 | 1 |
| SPI 数 | 2 |
| I²C 数 | 2 |
| LIN | 1 |
| 模拟 | |
| ADC 位数 | 12(系列通用参数) |
| ADC 采样率 | 1 MSPS(系列通用参数) |
| 比较器 | 2 |
| 定时与控制 | |
| RTC | 有 |
| DMA 通道 | 2 |
| 其他功能 | |
| 加密/安全 | TRNG(系列通用参数) |
| 可靠性与认证 | |
| ESD (HBM) | 4 kV(系列通用参数) TA=25°C, standard=ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 |
| Flash 擦写寿命 | 20,000 cycles(系列通用参数) TA=-40~105°C, stat=typ |
| Flash 数据保持 | 20 years(系列通用参数) TA=85°C |
以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对；如有出入请以原厂最新数据手册为准。
同系列型号 (2)
| PN | 最高主频 | 程序 Flash | SRAM | 工作温度 | 封装 | GPIO 数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HC32L031F8TB | 48 MHz | 64 KB | 8 KB | -40 ~ 105°C | LQFP32 | 29 |
| HC32L031F8UB | 48 MHz | 64 KB | 8 KB | -40 ~ 105°C | QFN32 | 29 |