KM1M4BF52G

新唐科技· 系列 KM1M4BF生命周期: 未标注

Cortex-M4 · 120 MHz · 136 KB · 16 KB

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M4
最高主频
120 MHz
程序 Flash
136 KB
SRAM
16 KB
工作温度
-40 ~ 110°C
GPIO 数
85
UART 数
7
SPI 数
7
I²C 数
7
ADC 位数
12
ADC 通道数
23

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M4(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频120 MHz
存储
程序 Flash136 KB
SRAM16 KB
数据 Flash8 KB
电源与环境
工作温度-40 ~ 110°C
最低功耗模式电流9000 µA(系列通用参数)
DEEP SLEEP mode, HXOCLK/PLLCLK/CPUCLK/IOCLK stopped, VDD50 = 5.0 V, typ (table header Tc = -40 to 110 °C; no 25 °C typ stated), all I/O output state no load
封装与 IO
封装尺寸14x14
引脚数100
GPIO 数85
通信接口
UART 数7
SPI 数7
I²C 数7
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数23
DAC 通道数1
DAC 位数10(系列通用参数)
比较器4
运放/PGA2
定时与控制
DMA 通道8
可靠性与认证
Flash 擦写寿命10,000 cycles(系列通用参数)
I-Flash, ECC enabled, min, VDD50 = VRST5N to 5.5 V, Tc = -40 to 110 °C
Flash 数据保持20 years(系列通用参数)
I-Flash, after EMAX1 (10,000) rewrites, min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (19)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
KM1M4BF02G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—85
KM1M4BF02K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—85
KM1M4BF03G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—65
KM1M4BF03K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—65
KM1M4BF04G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—51
KM1M4BF04K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—51
KM1M4BF05G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—37
KM1M4BF22K160 MHz264 KB48 KB-40 ~ 110°C—86
KM1M4BF23K160 MHz264 KB48 KB-40 ~ 110°C—66
KM1M4BF24K160 MHz264 KB48 KB-40 ~ 110°C—52
KM1M4BF52K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—85
KM1M4BF53G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—65
KM1M4BF53K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—65
KM1M4BF54G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—51
KM1M4BF54K120 MHz264 KB16 KB-40 ~ 110°C—51
KM1M4BF64G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—50
KM1M4BF65G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—36
KM1M4BF66G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—32
KM1M4BF67G120 MHz136 KB16 KB-40 ~ 110°C—20