M030GTC1AE

新唐科技· 系列 M029G/M030G/M031G生命周期: 量产

Cortex-M0 · 48 MHz · 32 KB · 4 KB · 2.7 ~ 3.6 V · QFN33

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
48 MHz
程序 Flash
32 KB
SRAM
4 KB
工作电压
2.7 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN33
GPIO 数
28
UART 数
1
SPI 数
1
I²C 数
2
ADC 位数
12
ADC 通道数
16
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0(系列通用参数)
最高主频48 MHz
存储
程序 Flash32 KB
SRAM4 KB
电源与环境
工作电压2.7 ~ 3.6 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流230 µA(系列通用参数)
mode=Power-down, all peripherals disabled, LDO pre-load disabled, VDD=3.3V, TA=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN33
封装尺寸4x4
引脚数33
GPIO 数28
通信接口
UART 数1
SPI 数1
I²C 数2
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数16
ADC 采样率1.4 MSPS
DAC 通道数4
DAC 位数12(系列通用参数)
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道6
DMA 通道5
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV(系列通用参数)
Flash 擦写寿命20,000 cycles(系列通用参数)
TJ=-40°C~125°C, limit=min
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
TJ=85°C, cycles=20 kcycle, limit=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (8)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
M029GGC0AE48 MHz32 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN2419
M030GGC1AE48 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN2419
M030GGD1AE48 MHz64 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN2419
M030GTD1AE48 MHz64 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3328
M031GGC2AE72 MHz32 KB8 KB-40 ~ 105°CQFN2419
M031GGD2AE72 MHz64 KB8 KB-40 ~ 105°CQFN2419
M031GTC2AE72 MHz32 KB8 KB-40 ~ 105°CQFN3328
M031GTD2AE72 MHz64 KB8 KB-40 ~ 105°CQFN3328