M2003XC1AE
新唐科技· 系列 M2003生命周期: 量产
Cortex-M23 · 24 MHz · 32 KB · 4 KB · 2.4 ~ 5.5 V · QFN20
关键参数
内核
Cortex-M23
最高主频
24 MHz
程序 Flash
32 KB
SRAM
4 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN20
GPIO 数
18
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
6
完整参数
| 内核与性能 | |
| 内核 | Cortex-M23 |
| 最高主频 | 24 MHz |
| 存储 | |
| 程序 Flash | 32 KB |
| SRAM | 4 KB |
| 电源与环境 | |
| 工作电压 | 2.4 ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -40 ~ 105°C |
| 最低功耗模式电流 | 5.8 µA mode=Power-down, all peripherals disabled, VDD=3.3 V, TA=25 °C, stat=typ |
| 封装与 IO | |
| 封装 | QFN20 |
| 封装尺寸 | 3x3 |
| 引脚数 | 20 |
| GPIO 数 | 18 |
| 通信接口 | |
| UART 数 | 2 |
| SPI 数 | 1 |
| I²C 数 | 1 |
| 模拟 | |
| ADC 位数 | 12 |
| ADC 通道数 | 8 |
| ADC 采样率 | 0.5 MSPS |
| 比较器 | 0 |
| 温度传感器 | 无 |
| 定时与控制 | |
| PWM 通道 | 6 |
| RTC | 无 |
| DMA 通道 | 0 |
| 可靠性与认证 | |
| ESD (HBM) | 7 kV |
| Flash 擦写寿命 | 100,000 cycles TA=-40 °C ~ 105 °C, stat=min |
| Flash 数据保持 | 10 years cycles=100 k, TA=105 °C, stat=min |
以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对；如有出入请以原厂最新数据手册为准。
同系列型号 (13)
| PN | 最高主频 | 程序 Flash | SRAM | 工作温度 | 封装 | GPIO 数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M2003ED4AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003FC1AE | 24 MHz | 32 KB | 4 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP20 | 18 |
| M2003LD4AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003LE4AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003LG6AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003RG6AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003RI7AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003RJ7AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003SG6AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003TD4AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003TE4AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003VI7AE | — | — | — | — | — | — |
| M2003VJ7AE | — | — | — | — | — | — |