M253LD3BE

新唐科技· 系列 M253生命周期: 量产

Cortex-M23 · 48 MHz · 64 KB · 16 KB · 1.75 ~ 5.5 V · LQFP48

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M23
最高主频
48 MHz
VDD=1.75V ~ 5.5V
程序 Flash
64 KB
SRAM
16 KB
工作电压
1.75 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP48
GPIO 数
37
UART 数
5
SPI 数
1
I²C 数
2
CAN 数
1
USB 全速
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
12
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M23
最高主频48 MHz
VDD=1.75V ~ 5.5V
存储
程序 Flash64 KB
SRAM16 KB
电源与环境
工作电压1.75 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流1.5 µA
mode=Power-down mode, all peripherals disable (LXT/LIRC off, RTC off), VDD=3.3V, temperature=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP48
封装尺寸7x7
引脚数48
GPIO 数37
通信接口
UART 数5
SPI 数1
I²C 数2
I²S 数1
CAN 数1
CAN FD有
USB 全速1
USB 角色Device
外部总线无
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数12
ADC 采样率0.73 MSPS
stat=max, note=FSPS = FADC / TCONV, EXTSMPT = 0
比较器2
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道6
RTC有
DMA 通道5
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV
Flash 擦写寿命20,000 cycles
Flash 数据保持10 years
cycles=20 kcycle, temperature=TJ = 125 °C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
M253LE3BE48 MHz128 KB16 KB-40 ~ 105°CLQFP4837
M253ZE3BE48 MHz128 KB16 KB-40 ~ 105°CQFN3322