M3333TIGAE

新唐科技· 系列 M3333生命周期: 未标注

Cortex-M33 · 180 MHz · 512 KB · 320 KB · 1.7 ~ 3.6 V · QFN33

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M33
最高主频
180 MHz
程序 Flash
512 KB
SRAM
320 KB
工作电压
1.7 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN33
GPIO 数
27
UART 数
5
SPI 数
3
I²C 数
3
CAN 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
10
PWM 通道
12

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M33(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频180 MHz
TrustZone有(系列通用参数)
存储
程序 Flash512 KB
SRAM320 KB
电源与环境
工作电压1.7 ~ 3.6 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C(系列通用参数)
最低功耗模式电流0.62 µA(系列通用参数)
mode=Deep Power-down (DPD), all peripherals disabled, vdd=3.3 V, temp=TA = 25 °C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN33
封装尺寸4x4
引脚数33
GPIO 数27
通信接口
UART 数5
SPI 数3
I²C 数3
QSPI 数1
CAN 数1
CAN FD有
USB 高速0
SDIO/SDHC1
外部总线无
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数10
ADC 采样率4.285 MSPS(系列通用参数)
adc_clock=FADC = 90 MHz (max), stat=max
比较器2
温度传感器有(系列通用参数)
定时与控制
PWM 通道12
RTC有
DMA 通道16
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV(系列通用参数)
Flash 擦写寿命100,000 cycles(系列通用参数)
temp=TJ = -40°C~125°C, stat=min
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
cycles=100 kcycle, temp=TJ = 25°C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (8)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
M3333KIGAE180 MHz512 KB320 KB-40 ~ 105°CLQFP128110
M3333LGAAE180 MHz256 KB96 KB-40 ~ 105°CLQFP4834
M3333LIGAE180 MHz512 KB320 KB-40 ~ 105°CLQFP4842
M3333SGAAE180 MHz256 KB96 KB-40 ~ 105°CLQFP6446
M3333SIGAE180 MHz512 KB320 KB-40 ~ 105°CLQFP6454
M3333TGAAE180 MHz256 KB96 KB-40 ~ 105°CQFN3321
M3333YGAAE180 MHz256 KB96 KB-40 ~ 105°CQFN4834
M3333YIGAE180 MHz512 KB320 KB-40 ~ 105°CQFN4842