M55M1R2LJAE

新唐科技· 系列 M55M1生命周期: 未标注

Cortex-M55 · 220 MHz · 2048 KB · 1552 KB · 1.71 ~ 3.6 V · LQFP64

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M55
最高主频
220 MHz
程序 Flash
2048 KB
SRAM
1552 KB
工作电压
1.71 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP64
GPIO 数
39
UART 数
9
SPI 数
4
I²C 数
3
CAN 数
2
USB 全速
0
ADC 位数
12
ADC 通道数
18

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M55(系列通用参数)
浮点单元有(系列通用参数)
最高主频220 MHz
TrustZone有(系列通用参数)
存储
程序 Flash2048 KB
SRAM1552 KB
电源与环境
工作电压1.71 ~ 3.6 V(系列通用参数)
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流0.28 µA(系列通用参数)
mode=Deep Power-down mode 1 (DPD1), all peripherals disabled, RTC off, vdd=3.0 V, temp=25 °C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP64
封装尺寸10x10
引脚数64
GPIO 数39
通信接口
UART 数9
SPI 数4
I²C 数3
I²S 数2
QSPI 数1
CAN 数2
CAN FD有
USB 全速0
USB 高速1
USB 角色OTG(系列通用参数)
以太网1
SDIO/SDHC2
外部总线无
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数18
ADC 采样率4.286 MSPS(系列通用参数)
source=8.5.3 ADC characteristics table, FSPS max, fadc=90 MHz max, note=EXTSMPT = 0
DAC 通道数2
DAC 位数12(系列通用参数)
比较器4
温度传感器有(系列通用参数)
定时与控制
RTC有
DMA 通道32
可靠性与认证
ESD (HBM)3 kV(系列通用参数)
Flash 擦写寿命10,000 cycles(系列通用参数)
temp=TJ = -40~125 °C or TA = 25 °C, stat=min
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
temp=TJ = 125 °C, cycles=TBD kcycle, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
M55M1H2LJAE220 MHz2048 KB1552 KB-40 ~ 105°CLQFP176142
M55M1K2LJAE220 MHz2048 KB1552 KB-40 ~ 105°CLQFP12897