ML51PC0AE

新唐科技· 系列 Low Power ML51生命周期: 量产

8051 · 24 MHz · 32 KB · 2 KB · 1.8 ~ 5.5 V · LQFP32

问 AI

关键参数

内核
8051
最高主频
24 MHz
程序 Flash
32 KB
SRAM
2 KB
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP32
GPIO 数
28
UART 数
2
SPI 数
2
I²C 数
2
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核8051(系列通用参数)
最高主频24 MHz
存储
程序 Flash32 KB
SRAM2 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流0.8 µA
mode=Power-down, all peripherals disabled, vdd=3.3 V, temp=25 °C, stat=typ, rtc=off
封装与 IO
封装LQFP32
封装尺寸7x7
引脚数32
GPIO 数28
通信接口
UART 数2
SPI 数2
I²C 数2
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数8
比较器2
定时与控制
PWM 通道6
RTC无
DMA 通道2
可靠性与认证
ESD (HBM)8 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles(系列通用参数)
temp=TJ = -40~125 °C, stat=min
Flash 数据保持10 years(系列通用参数)
temp=TA = 105 °C, cycles=100 kcycle, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (15)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
ML51BB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CMSOP107
ML51DB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CTSSOP1411
ML51EB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CTSSOP2824
ML51EC0AE24 MHz32 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2824
ML51FB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CTSSOP2016
ML51LD1AE24 MHz64 KB4 KB-40 ~ 105°CLQFP4843
ML51OB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CSOP2016
ML51PB9AE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP3228
ML51SD1AE24 MHz64 KB4 KB-40 ~ 105°CLQFP6456
ML51TB9AE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3328
ML51TC0AE24 MHz32 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3328
ML51TD1AE24 MHz64 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3328
ML51UB9AE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CSOP2824
ML51UC0AE24 MHz32 KB2 KB-40 ~ 105°CSOP2824
ML51XB9AE24 MHz16 KB1 KB-40 ~ 105°CQFN2017