MUG51TB9AE

新唐科技· 系列 Low Power MUG51生命周期: 量产

8051 · 7.3728 MHz · 16 KB · 1 KB · 1.8 ~ 5.5 V · QFN33

问 AI

关键参数

内核
8051
最高主频
7.3728 MHz
程序 Flash
16 KB
SRAM
1 KB
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN33
GPIO 数
24
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
2
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核8051
最高主频7.3728 MHz
存储
程序 Flash16 KB
SRAM1 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流0.8 µA
mode=Power-down mode Level 2 (all IP off / flash off / MIRC off / LDO off), peripherals=all peripherals disabled, LVR/POR/BOD disabled, vdd=3.3 V, temp=25 °C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN33
封装尺寸4x4
引脚数33
GPIO 数24
通信接口
UART 数2
SPI 数1
I²C 数2
模拟
DAC 通道数0
比较器2
温度传感器无
定时与控制
PWM 通道6
DMA 通道2
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles
temp=TJ = -40°C~125°C, stat=min
Flash 数据保持10 years
temp=TA = 105°C, cycles=100 kcycle, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。