NANO100SD3BN

新唐科技· 系列 Nano100/102 Base生命周期: 量产

Cortex-M0 · 42 MHz · 64 KB · 16 KB · 1.8 ~ 3.6 V · LQFP64

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
42 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
16 KB
工作电压
1.8 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
LQFP64
GPIO 数
52
UART 数
5
SPI 数
3
I²C 数
2
USB 全速
0
ADC 位数
12
ADC 通道数
7
PWM 通道
8

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0
最高主频42 MHz
存储
程序 Flash64 KB
SRAM16 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 3.6 V
工作温度-40 ~ 85°C
运行功耗200 µA/MHz(系列通用参数)
mode=Run, CPU running while(1) in Flash, all peripherals disabled, clock=12 MHz crystal oscillator, CPU 12 MHz, VDD=3.3V, type=typ/max and temperature not stated in the table
最低功耗模式电流0.8 µA
mode=Power-down mode, RTC OFF, all clocks stopped, RAM retention, IO no loading, vdd=1.8V, temp=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP64
封装尺寸7x7
引脚数64
GPIO 数52
通信接口
UART 数5
SPI 数3
I²C 数2
I²S 数1
USB 全速0
外部总线无
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数7
ADC 采样率2 MSPS
DAC 通道数2
DAC 位数12
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道8
RTC有
DMA 通道8
可靠性与认证
Flash 擦写寿命20,000 cycles
stat=min
Flash 数据保持100 years
temp=TA = 25°C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (18)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
NANO100KD3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO100KE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO100LC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP4838
NANO100LD2BN42 MHz64 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP4838
NANO100LD3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP4838
NANO100LE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP4838
NANO100NC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CQFN4838
NANO100ND2BN42 MHz64 KB8 KB-40 ~ 85°CQFN4838
NANO100ND3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CQFN4838
NANO100NE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CQFN4838
NANO100SC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6452
NANO100SD2BN42 MHz64 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6452
NANO100SE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP6452
NANO102LB1AN32 MHz16 KB4 KB-40 ~ 85°CLQFP4840
NANO102LC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP4840
NANO102SC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6458
NANO102ZB1AN32 MHz16 KB4 KB-40 ~ 85°CQFN3327
NANO102ZC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CQFN3327