NANO103LD3AE

新唐科技· 系列 Nano103 Base生命周期: 量产

Cortex-M0 · 36 MHz · 64 KB · 16 KB · 2.2 ~ 3.6 V · LQFP48

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
36 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
16 KB
工作电压
2.2 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
LQFP48
GPIO 数
39
UART 数
2
SPI 数
4
I²C 数
2
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
6

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0
最高主频36 MHz
存储
程序 Flash64 KB
SRAM16 KB
电源与环境
工作电压2.2 ~ 3.6 V
工作温度-40 ~ 105°C
运行功耗186 µA/MHz
Normal run mode, CPU running while(1) from Flash, 36 MHz (PLL from 12 MHz crystal), VDD=3.6V, LDO=1.8V, all peripherals disabled; section 8 table gives a single value without temperature or typ/max label
最低功耗模式电流1 µA(系列通用参数)
RTC mode (RAM retention): main power off, only VBAT and RTC on, CPU stop, 32.768 kHz LXT, all peripherals except RTC disabled, VDD 3.6 V; typ/max and temperature not stated (Power Consumption table)
封装与 IO
封装LQFP48
封装尺寸7x7
引脚数48
GPIO 数39
通信接口
UART 数2
SPI 数4
I²C 数2
I²S 数0
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数8
比较器1
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道6
RTC有
DMA 通道4

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (2)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
NANO103SD3AE36 MHz64 KB16 KB-40 ~ 105°CLQFP6453
NANO103ZD3AE36 MHz64 KB16 KB-40 ~ 105°CQFN3326