NANO110RD2BN

新唐科技· 系列 Nano110/112 LCD生命周期: 量产

Cortex-M0 · 42 MHz · 64 KB · 8 KB · 1.8 ~ 3.6 V · LQFP64

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
42 MHz
程序 Flash
64 KB
SRAM
8 KB
工作电压
1.8 ~ 3.6 V
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
LQFP64
GPIO 数
51
UART 数
5
SPI 数
3
I²C 数
2
USB 全速
0
ADC 位数
12
ADC 通道数
7
PWM 通道
7

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0
最高主频42 MHz
存储
程序 Flash64 KB
SRAM8 KB
电源与环境
工作电压1.8 ~ 3.6 V
工作温度-40 ~ 85°C
运行功耗200 µA/MHz(系列通用参数)
mode=Run, CPU running while(1) in Flash, all peripherals disabled, clock=12 MHz crystal oscillator, CPU 12 MHz, VDD=3.3V, type=typ/max and temperature not stated in the table
最低功耗模式电流0.8 µA
mode=Power-down mode, RTC OFF, all clocks stopped, RAM retention, IO no loading, vdd=1.8V, temp=25°C, stat=typ
封装与 IO
封装LQFP64
封装尺寸10x10
引脚数64
GPIO 数51
通信接口
UART 数5
SPI 数3
I²C 数2
I²S 数1
USB 全速0
外部总线无
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数7
ADC 采样率2 MSPS
DAC 通道数2
DAC 位数12
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道7
RTC有
DMA 通道8
其他功能
段码 LCD4x31, 6x29
可靠性与认证
Flash 擦写寿命20,000 cycles
stat=min
Flash 数据保持100 years
temp=TA = 25°C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (18)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
NANO110KC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO110KD2BN42 MHz64 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO110KD3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO110KE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP12886
NANO110RC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110RD3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110RE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110SC2BN42 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110SD2BN42 MHz64 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110SD3BN42 MHz64 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO110SE3BN42 MHz128 KB16 KB-40 ~ 85°CLQFP6451
NANO112LB1AN32 MHz16 KB4 KB-40 ~ 85°CLQFP4840
NANO112LC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP4840
NANO112RB1AN32 MHz16 KB4 KB-40 ~ 85°CLQFP6458
NANO112RC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6458
NANO112SB1AN32 MHz16 KB4 KB-40 ~ 85°CLQFP6458
NANO112SC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP6458
NANO112VC2AN32 MHz32 KB8 KB-40 ~ 85°CLQFP10080