W79E4051

新唐科技· 系列 Low Pin Count 8051生命周期: 量产

8051 · 24 MHz · 4 KB · 0.25 KB · 2.4 ~ 5.5 V

W79E4051AKGW79E4051ARGW79E4051ASGW79E4051RAKGW79E4051RARGW79E4051RASG
问 AI

关键参数

内核
8051
最高主频
24 MHz
VDD=4.5~5.5V
程序 Flash
4 KB
SRAM
0.25 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
up to 12MHz (4.5~5.5V required for up to 24MHz)
工作温度
-40 ~ 85°C
TA (ambient)
UART 数
1
PWM 通道
1

完整参数

内核与性能
内核8051
最高主频24 MHz
VDD=4.5~5.5V
存储
程序 Flash4 KB
SRAM0.25 KB
数据 Flash0.125 KB
电源与环境
工作电压2.4 ~ 5.5 V
up to 12MHz (4.5~5.5V required for up to 24MHz)
工作温度-40 ~ 85°C
TA (ambient)
封装与 IO
引脚数20
通信接口
UART 数1
模拟
比较器1
定时与控制
PWM 通道1
可靠性与认证
Flash 擦写寿命10,000 cycles
Data Flash EPROM (128-byte NVM area); program flash endurance not stated

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (18)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
N76E003AQ20——————
N76E003AT20——————
N76E003BQ20——————
N76E61616 MHz18 KB0.25 KB-40 ~ 105°CLQFP48, PQFP44, LQFP4446
N76E88525 MHz18 KB—-40 ~ 105°CTSSOP2826
N79E71524 MHz16 KB0.5 KB-40 ~ 85°C—25
N79E82220 MHz—0.25 KB-40 ~ 85°CSOP2018
N79E82320 MHz—0.25 KB-40 ~ 85°CSOP2018
N79E82420 MHz—0.25 KB-40 ~ 85°CSOP2018
N79E82520 MHz16 KB0.25 KB-40 ~ 85°CSOP2018
N79E843224 MHz4 KB—-40 ~ 85°CSOP16—
N79E84424 MHz8 KB—-40 ~ 85°CTSSOP2017
N79E84524 MHz16 KB—-40 ~ 85°CTSSOP2017
N79E85424 MHz8 KB—-40 ~ 85°CTSSOP2825
N79E85524 MHz16 KB—-40 ~ 85°CTSSOP2825
N79E875——————
W79E205124 MHz2 KB0.25 KB-40 ~ 85°C——
W79E8213——————