GT93C66A-A2

聚辰半导体· 系列 Microwire EEPROM (Automotive)生命周期: 未标注

Microwire · 4 Kbit · 2.5 ~ 5.5 V · SOIC8, TSSOP8

GT93C66AGT93C66A-3GLA2-TRGT93C66A-3ZLA2-TR
问 AI

关键参数

接口
Microwire
容量
4 Kbit
最高时钟
3 MHz
VCC=4.5V~5.5V
工作电压
2.5 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
擦写寿命
1,000,000 cycles
数据保持
100 years
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
SOIC8, TSSOP8

完整参数

基本参数
接口Microwire
容量4 Kbit
组织结构256 x 16 or 512 x 8
电气特性
最高时钟3 MHz
VCC=4.5V~5.5V
工作电压2.5 ~ 5.5 V
写周期5 ms
待机电流15 µA
VCC=5.5V, limit=max
读电流1 mA
VCC=5.5V, SK=3 MHz, limit=max
写电流2 mA
VCC=5.5V, SK=3 MHz, limit=max
可靠性
擦写寿命1,000,000 cycles
数据保持100 years
工作温度-40 ~ 105°C
AEC-Q100Grade 2
封装
封装SOIC8, TSSOP8

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (9)

PN容量页大小工作温度封装
GT93C46A-A11 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, SOT23-6, TSSOP8, UDFN8
GT93C46A-A21 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8
GT93C56A-A12 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, SOT23-6, TSSOP8, UDFN8
GT93C56A-A22 Kbit—-40 ~ 105°CMSOP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C66A-A14 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C76-A18 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, TSSOP8
GT93C76-A28 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C86-A116 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C86-A216 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8