GT93C86-A1

聚辰半导体· 系列 Microwire EEPROM (Automotive)生命周期: 未标注

Microwire · 16 Kbit · 1.8 ~ 5.5 V · SOIC8, TSSOP8, UDFN8

GT93C86GT93C86-2GLA1-TRGT93C86-2UDLA1-TRGT93C86-2ZLA1-TR
问 AI

关键参数

接口
Microwire
容量
16 Kbit
最高时钟
3 MHz
4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V, TA = -40°C to +125°C, max
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
max (Features); AC table: 5 ms max for 2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
擦写寿命
1,000,000 cycles
数据保持
100 years
工作温度
-40 ~ 125°C
封装
SOIC8, TSSOP8, UDFN8

完整参数

基本参数
接口Microwire
容量16 Kbit
组织结构1024 x 16 or 2048 x 8
软件写保护有
电气特性
最高时钟3 MHz
4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V, TA = -40°C to +125°C, max
工作电压1.8 ~ 5.5 V
写周期5 ms
max (Features); AC table: 5 ms max for 2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
待机电流1 µA
ISB1 max, VCC = 1.8V, CS = SK = GND, ORG = VCC or floating (x16), TA = -40°C to +125°C
读电流2 mA
ICC-Read max, VCC = 5.0V, CS = VIH, SK = 2 MHz, TA = -40°C to +125°C
写电流1 mA
ICC-Write max, VCC = 1.8V, CS = VIH, SK = 1 MHz, TA = -40°C to +125°C
可靠性
擦写寿命1,000,000 cycles
数据保持100 years
工作温度-40 ~ 125°C
AEC-Q100Grade 1
封装
封装SOIC8, TSSOP8, UDFN8

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (9)

PN容量页大小工作温度封装
GT93C46A-A11 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, SOT23-6, TSSOP8, UDFN8
GT93C46A-A21 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8
GT93C56A-A12 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, SOT23-6, TSSOP8, UDFN8
GT93C56A-A22 Kbit—-40 ~ 105°CMSOP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C66A-A14 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C66A-A24 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8
GT93C76-A18 Kbit—-40 ~ 125°CSOIC8, TSSOP8
GT93C76-A28 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C86-A216 Kbit—-40 ~ 105°CSOIC8, TSSOP8, UDFN8