KM1M0GF13Y

新唐科技· 系列 KM1M0GF生命周期: 未标注

Cortex-M0+ · 24 KB

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0+
SRAM
24 KB
工作温度
-40 ~ 105°C
GPIO 数
67
UART 数
3
I²C 数
2
CAN 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
15

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0+(系列通用参数)
存储
SRAM24 KB
电源与环境
工作温度-40 ~ 105°C(系列通用参数)
最低功耗模式电流15 µA(系列通用参数)
mode=STOP0/STOP2 (HXOCLK, HRCCLK, PLLCLK, SYSCLK, LXOCLK, LRCCLK all stopped), vdd=VDD50 = 5 V, temp=Ta = 25 °C, stat=typ, other=POWSWCNT.MCAN_PWEN = 1; no load, all I/O open; ADC/DAC/comparator stopped
封装与 IO
封装尺寸12x12
引脚数80
GPIO 数67
通信接口
UART 数3
I²C 数2
CAN 数1
CAN FD有
LIN1
模拟
ADC 位数12(系列通用参数)
ADC 通道数15
DAC 通道数4
DAC 位数8(系列通用参数)
比较器2
定时与控制
RTC有
DMA 通道2
其他功能
加密/安全AES, PRNG
可靠性与认证
Flash 擦写寿命100 cycles(系列通用参数)
vdd=VDD50 = VRST5N to 5.5 V, temp=Ta = -40 °C to 105 °C, stat=min
Flash 数据保持15 years(系列通用参数)
stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (19)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
KM1M0GF01K——16 KB-40 ~ 105°C—115
KM1M0GF01Y——24 KB-40 ~ 105°C—115
KM1M0GF01Z——24 KB-40 ~ 105°C—115
KM1M0GF02K—256 KB16 KB-40 ~ 105°CLQFP10087
KM1M0GF02Y——24 KB-40 ~ 105°CLQFP10087
KM1M0GF02Z——24 KB-40 ~ 105°CLQFP10087
KM1M0GF03K——16 KB-40 ~ 105°C—67
KM1M0GF03Y——24 KB-40 ~ 105°C—67
KM1M0GF03Z——24 KB-40 ~ 105°C—67
KM1M0GF04K——16 KB-40 ~ 105°C—51
KM1M0GF04Y——24 KB-40 ~ 105°C—51
KM1M0GF04Z——24 KB-40 ~ 105°C—51
KM1M0GF11Y——24 KB-40 ~ 105°C—115
KM1M0GF11Z——24 KB-40 ~ 105°C—115
KM1M0GF12Y——24 KB-40 ~ 105°CLQFP10087
KM1M0GF12Z——24 KB-40 ~ 105°CLQFP10087
KM1M0GF13Z——24 KB-40 ~ 105°C—67
KM1M0GF14Y——24 KB-40 ~ 105°C—51
KM1M0GF14Z——24 KB-40 ~ 105°C—51