MINI52FDE

新唐科技· 系列 Mini51 Base生命周期: 量产

Cortex-M0 · 24 MHz · 8 KB · 2 KB · 2.5 ~ 5.5 V · TSSOP20

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
24 MHz
程序 Flash
8 KB
SRAM
2 KB
工作电压
2.5 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
TSSOP20
GPIO 数
17
UART 数
1
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
10
ADC 通道数
4
PWM 通道
3

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0
最高主频24 MHz
存储
程序 Flash8 KB
SRAM2 KB
电源与环境
工作电压2.5 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流9 µA
mode=Power-down (Deep Sleep), vdd=3.3V, temp=25°C, typ_max=typ, note=all oscillators and analog blocks turned off
封装与 IO
封装TSSOP20
引脚数20
GPIO 数17
通信接口
UART 数1
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数10
ADC 通道数4
ADC 采样率0.3 MSPS
avdd=4.5V-5.5V
比较器0
定时与控制
PWM 通道3
可靠性与认证
ESD (HBM)4 kV
Flash 擦写寿命20,000 cycles
Flash 数据保持100 years

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (21)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
MINI51FDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI51LDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI51TDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI51ZDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI52LDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI52TDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI52ZDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI54FDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI54FHC24 MHz16 KB2 KB—TSSOP2017
MINI54LDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI54TDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI54ZDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI55LDE48 MHz17.5 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4833
MINI55TDE48 MHz17.5 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI57EDE48 MHz29.5 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2822
MINI57FDE48 MHz29.5 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2018
MINI57TDE48 MHz29.5 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3322
MINI58FDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI58LDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI58TDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI58ZDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3329