MINI57EDE

新唐科技· 系列 Mini51 Base生命周期: 量产

Cortex-M0 · 48 MHz · 29.5 KB · 4 KB · 2.1 ~ 5.5 V · TSSOP28

问 AI

关键参数

内核
Cortex-M0
最高主频
48 MHz
程序 Flash
29.5 KB
SRAM
4 KB
工作电压
2.1 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
TSSOP28
GPIO 数
22
ADC 位数
12
ADC 通道数
8
PWM 通道
8

完整参数

内核与性能
内核Cortex-M0
最高主频48 MHz
存储
程序 Flash29.5 KB
SRAM4 KB
电源与环境
工作电压2.1 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流1.7 µA
mode=Power-down (Deep Sleep) mode, all oscillators and analog blocks turned off, vdd=3 V, temp=25 °C, stat=typ
封装与 IO
封装TSSOP28
封装尺寸4.4x9.7
引脚数28
GPIO 数22
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数8
ADC 采样率0.7 MSPS
vdd=3.0~5.5 V, stat=max
比较器2
运放/PGA1
温度传感器有
定时与控制
PWM 通道8
可靠性与认证
ESD (HBM)7 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles
Flash 数据保持10 years
temp=TA = 125 °C, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (21)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
MINI51FDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI51LDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI51TDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI51ZDE24 MHz4 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI52FDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI52LDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI52TDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI52ZDE24 MHz8 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI54FDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI54FHC24 MHz16 KB2 KB—TSSOP2017
MINI54LDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI54TDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI54ZDE24 MHz16 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI55LDE48 MHz17.5 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP4833
MINI55TDE48 MHz17.5 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI57FDE48 MHz29.5 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2018
MINI57TDE48 MHz29.5 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3322
MINI58FDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CTSSOP2017
MINI58LDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CLQFP4830
MINI58TDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3329
MINI58ZDE50 MHz32 KB4 KB-40 ~ 105°CQFN3329