GT93C56A

聚辰半导体· 系列 Microwire EEPROM生命周期: 量产

Microwire · 2 Kbit · 1.8 ~ 5.5 V · SOIC8, TSSOP8

GT93C56A-2GLI-TRGT93C56A-2UDLI-TRGT93C56A-2ZLI-TR
问 AI

关键参数

接口
Microwire
容量
2 Kbit
最高时钟
3 MHz
4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V (AC table); features headline
擦写寿命
1,000,000 cycles
数据保持
100 years
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
SOIC8, TSSOP8

完整参数

基本参数
接口Microwire
容量2 Kbit
组织结构128 x 16 / 256 x 8
电气特性
最高时钟3 MHz
4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
工作电压1.8 ~ 5.5 V
写周期5 ms
2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V (AC table); features headline
待机电流1 µA
VCC = 1.8V, max, TA = -40°C to +85°C
读电流1 mA
VCC = 5.5V, CS = VIH, SK = 3 MHz, max, TA = -40°C to +85°C
写电流2 mA
VCC = 5.5V, CS = VIH, SK = 3 MHz, max, TA = -40°C to +85°C
可靠性
擦写寿命1,000,000 cycles
数据保持100 years
工作温度-40 ~ 85°C
封装
封装SOIC8, TSSOP8

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (4)

PN容量页大小工作温度封装
GT93C46A1 Kbit—-40 ~ 85°CPDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C66A4 Kbit—-40 ~ 85°CMSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C768 Kbit—-40 ~ 85°CMSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C8616 Kbit—-40 ~ 85°CPDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8