GT93C66A

聚辰半导体· 系列 Microwire EEPROM生命周期: 量产

Microwire · 4 Kbit · 1.8 ~ 5.5 V · MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8

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问 AI

关键参数

接口
Microwire
容量
4 Kbit
最高时钟
3 MHz
VCC=4.5V to 5.5V, limit=max
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
limit=max, note=Features headline; AC table gives 5 ms for 2.5V<=VCC<=5.5V
擦写寿命
1,000,000 cycles
数据保持
100 years
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8

完整参数

基本参数
接口Microwire
容量4 Kbit
组织结构256 x 16 / 512 x 8
软件写保护有
电气特性
最高时钟3 MHz
VCC=4.5V to 5.5V, limit=max
工作电压1.8 ~ 5.5 V
写周期5 ms
limit=max, note=Features headline; AC table gives 5 ms for 2.5V<=VCC<=5.5V
待机电流1 µA
VCC=1.8V, limit=max
读电流1 mA
vcc_v=5.5, stat=max, mode=read, CS = VIH, SK = 3 MHz
写电流2 mA
vcc_v=5.5, stat=max, mode=write, CS = VIH, SK = 3 MHz
可靠性
擦写寿命1,000,000 cycles
数据保持100 years
工作温度-40 ~ 85°C
封装
封装MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (4)

PN容量页大小工作温度封装
GT93C46A1 Kbit—-40 ~ 85°CPDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C56A2 Kbit—-40 ~ 85°CSOIC8, TSSOP8
GT93C768 Kbit—-40 ~ 85°CMSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
GT93C8616 Kbit—-40 ~ 85°CPDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8