GT93C76
聚辰半导体· 系列 Microwire EEPROM生命周期: 量产
Microwire · 8 Kbit · 1.8 ~ 5.5 V · MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
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关键参数
接口
Microwire
容量
8 Kbit
最高时钟
3 MHz
VCC=4.5V to 5.5V, limit=max
工作电压
1.8 ~ 5.5 V
写周期
5 ms
limit=max, note=Features headline; AC table gives 5 ms for 2.5V<=VCC<=5.5V
擦写寿命
1,000,000 cycles
数据保持
40 years
工作温度
-40 ~ 85°C
封装
MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8
完整参数
| 基本参数 | |
| 接口 | Microwire |
| 容量 | 8 Kbit |
| 组织结构 | 512 x 16 / 1024 x 8 |
| 软件写保护 | 有 |
| 电气特性 | |
| 最高时钟 | 3 MHz VCC=4.5V to 5.5V, limit=max |
| 工作电压 | 1.8 ~ 5.5 V |
| 写周期 | 5 ms limit=max, note=Features headline; AC table gives 5 ms for 2.5V<=VCC<=5.5V |
| 待机电流 | 15 µA VCC=5.5V, ORG=GND (x8), limit=max |
| 读电流 | 2 mA VCC=5.0V, SK=2 MHz, limit=max |
| 写电流 | 3 mA VCC=5.0V, SK=2 MHz, limit=max |
| 可靠性 | |
| 擦写寿命 | 1,000,000 cycles |
| 数据保持 | 40 years |
| 工作温度 | -40 ~ 85°C |
| 封装 | |
| 封装 | MSOP8, PDIP8, SOIC8, TSSOP8, UDFN8 |
以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对；如有出入请以原厂最新数据手册为准。