MS51BA9AE
新唐科技· 系列 Industrial 8051生命周期: 量产
8051 · 24 MHz · 8 KB · 1 KB · 2.4 ~ 5.5 V · MSOP10
关键参数
内核
8051
最高主频
24 MHz
clock=HIRC 24 MHz system clock (highest Fsys characterized; external clock input max 24 MHz)
程序 Flash
8 KB
SRAM
1 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
MSOP10
GPIO 数
8
UART 数
2
SPI 数
0
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
5
PWM 通道
5
完整参数
| 内核与性能 | |
| 内核 | 8051 |
| 最高主频 | 24 MHz clock=HIRC 24 MHz system clock (highest Fsys characterized; external clock input max 24 MHz) |
| 存储 | |
| 程序 Flash | 8 KB |
| SRAM | 1 KB |
| 电源与环境 | |
| 工作电压 | 2.4 ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -40 ~ 105°C |
| 最低功耗模式电流 | 6 µA mode=Power-down, all peripherals disabled (LVR17/POR/BOD disabled), vdd=3.3 V, ta=25 °C, stat=typ |
| 封装与 IO | |
| 封装 | MSOP10 |
| 封装尺寸 | 3x3 |
| 引脚数 | 10 |
| GPIO 数 | 8 |
| 通信接口 | |
| UART 数 | 2 |
| SPI 数 | 0 |
| I²C 数 | 1 |
| 模拟 | |
| ADC 位数 | 12 |
| ADC 通道数 | 5 |
| ADC 采样率 | 0.5 MSPS |
| 定时与控制 | |
| PWM 通道 | 5 |
| 可靠性与认证 | |
| ESD (HBM) | 8 kV |
| Flash 擦写寿命 | 100,000 cycles bound=min, tj=-40~125 °C |
| Flash 数据保持 | 25 years TA = 85 C, after 100 kcycle, min |
以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对；如有出入请以原厂最新数据手册为准。
同系列型号 (10)
| PN | 最高主频 | 程序 Flash | SRAM | 工作温度 | 封装 | GPIO 数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MS51DA9AE | 24 MHz | 8 KB | 1 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP14 | 12 |
| MS51EB0AE | — | 16 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP28 | 26 |
| MS51EC0AE | — | 32 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP28 | 26 |
| MS51FB9AE | — | 16 KB | 1 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP20 | 18 |
| MS51FC0AE | — | 32 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | TSSOP20 | 18 |
| MS51PC0AE | — | 32 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | LQFP32 | 30 |
| MS51TC0AE | — | 32 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | QFN32 | 30 |
| MS51XB9AE | — | 16 KB | 1 KB | -40 ~ 105°C | QFN20 | 18 |
| MS51XB9BE | — | 16 KB | 1 KB | -40 ~ 105°C | QFN20 | 18 |
| MS51XC0BE | — | 32 KB | 2 KB | -40 ~ 105°C | QFN20 | 18 |