MS51TC0AE

新唐科技· 系列 Industrial 8051生命周期: 未标注

32 KB · 2 KB · 2.4 ~ 5.5 V · QFN32

问 AI

关键参数

程序 Flash
32 KB
SRAM
2 KB
工作电压
2.4 ~ 5.5 V
工作温度
-40 ~ 105°C
封装
QFN32
GPIO 数
30
UART 数
2
SPI 数
1
I²C 数
1
ADC 位数
12
ADC 通道数
15
PWM 通道
12

完整参数

存储
程序 Flash32 KB
SRAM2 KB
电源与环境
工作电压2.4 ~ 5.5 V
工作温度-40 ~ 105°C
最低功耗模式电流6 µA
mode=Power-down mode, all peripherals disabled (LVR, POR, BOD disabled), vdd=3.3 V, temp=25 °C, stat=typ
封装与 IO
封装QFN32
封装尺寸4x4
引脚数32
GPIO 数30
通信接口
UART 数2
SPI 数1
I²C 数1
模拟
ADC 位数12
ADC 通道数15
ADC 采样率0.5 MSPS
定时与控制
PWM 通道12
可靠性与认证
ESD (HBM)8 kV
Flash 擦写寿命100,000 cycles
temp=TJ = -40 °C ~ 125 °C, stat=min
Flash 数据保持50 years
temp=TA = 55 °C, cycles=100 kcycle, stat=min

以上数值由程序从原厂文档的对应位置读取并核对;如有出入请以原厂最新数据手册为准。

同系列型号 (10)

PN最高主频程序 FlashSRAM工作温度封装GPIO 数
MS51BA9AE24 MHz8 KB1 KB-40 ~ 105°CMSOP108
MS51DA9AE24 MHz8 KB1 KB-40 ~ 105°CTSSOP1412
MS51EB0AE—16 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2826
MS51EC0AE—32 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2826
MS51FB9AE—16 KB1 KB-40 ~ 105°CTSSOP2018
MS51FC0AE—32 KB2 KB-40 ~ 105°CTSSOP2018
MS51PC0AE—32 KB2 KB-40 ~ 105°CLQFP3230
MS51XB9AE—16 KB1 KB-40 ~ 105°CQFN2018
MS51XB9BE—16 KB1 KB-40 ~ 105°CQFN2018
MS51XC0BE—32 KB2 KB-40 ~ 105°CQFN2018